- 初步数据表 -
TC2998F
PRE.3_01/21/2008
2.7-2.9GHz 20W封装的GaAs功率场效应管
特点
20 W典型电源
10分贝典型的线性功率增益
高线性度：
IP3 = 52 dBm的典型
高功率附加效率：
37％的标称PAE
100％的DC和RF测试
描述
该TC2998F是一个打包的假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）功率晶体管。
在陶瓷封装提供了砷化镓场效应管的最好的热传导率。所有器件100 ％的直流
和RF测试，以保证稳定的质量。典型的应用包括高动态范围功率放大器
对于商业应用。
电气规格
符号
频率
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
工作频率
输出功率1分贝增益压缩点，
VD = 10V ，ID = 4.5A ， F = 2.7 - 为2.9GHz
线性功率增益
VD = 10V ，ID = 4.5A ， F = 2.7 - 为2.9GHz
的3截点
rd
阶互调， VD = 10V ，ID = 4.5A ， F = 2.7 - 为2.9GHz ，
*P
SCL
= 31 dBm的
民
2.7
42
9
43
10
52
37
18.75
13500
-1.7
22
0.6
典型值
最大
2.9
单位
GHz的
DBM
dB
DBM
%
A
mS
伏
伏
° C / W
在1dB压缩功率功率附加效率
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 60毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
?? 15毫安
热阻
20
* P
SCL
：单载波电平，频率变化= 5MHz时的输出功率。
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th
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P1/2
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