TC2997C
PRE3_20050418
初步
2.1 GHz的20瓦法兰瓷封装的GaAs功率场效应管
特点
•
20 W典型功耗为2.1 GHz的
•
12分贝典型的线性功率增益为2.1 GHz的
•
高线性度: IP3 = 52 dBm的典型
•
高功率附加效率: 40 %额定PAE
•
适用于高可靠性的应用
•
WG = 50毫米
•
100%的DC和RF测试
PHOTO扩建
•
法兰瓷封装
描述
该TC2997C是一个打包的假晶高电子迁移率晶体管( PHEMT )功率
晶体管的输入prematched电路。法兰陶瓷封装提供了最佳的热
电导率为砷化镓场效应管。所有器件100 %的直流和射频测试,以保证稳定的质量。
典型的应用包括高动态范围的功率放大器,用于商业应用。
电气特性( @ 2.1 GHz的)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
线性功率增益
的3截点
rd
阶互调, * P
SCL
= 32 dBm的
在1dB压缩功率功率附加效率
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V,I
D
= 60毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
?? 15毫安
热阻
20
条件
在1分贝增益压缩点输出功率
民
42
11
典型值
43
12
52
40
12.5
9000
-1.7
22
0.9
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
A
mS
伏
伏
° C / W
* P
SCL
:单载波电平的输出功率。
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
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