TC3879
PRE1_20070518
初步
7瓦包装单偏置的GaAs PHEMT功率场效应
特点
!
7W典型输出功率
!
10.5分贝典型的线性功率增益为2.45 GHz的
!
高线性度： IP3 = 48.5 dBm的典型
!
高功率附加效率： 35 ％额定PAE
!
击穿电压： BV
DGO
≥
18V
!
100％的直流测试
!
适用于高可靠性的应用
PHOTO扩建
描述
该TC3879是一个自偏压凸缘的陶瓷封装的器件与PHEMT的GaAs场效应晶体管，它被设计成
提供单个电源。凸缘陶瓷封装提供了极好的热传导
砷化镓场效应管。该装置适用于振荡器和功率放大器在广泛的商业应用。
所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
电气特性（ @ 2.45 GHz的）
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DS
BV
DGO
R
th
线性功率增益V
DS
= 10 V
的3截点
rd
阶互调V
DS
= 10 V ， * P
SCL
= 27 dBm的
在1dB压缩功率功率附加效率
漏源电流在V
DS
= 10 V
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 7.5毫安
热阻
18
条件
在1分贝增益压缩点V输出功率
DS
= 10 V
民
典型值
38.5
10.5
48.5
35
1750
22
1.8
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
mA
伏
° C / W
注： * P
SCL
：单载波电平的输出功率。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
网址：
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电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
P1/2
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