TC3911
REV2_20070503
低成本的单偏置低噪声PHEMT的GaAs场效应管
特点
•
1.5分贝典型噪声系数在6 GHz
•
在6 GHz 17 dBm的典型输出功率
•
高线性功率增益：摹
L
= 13分贝一般在6 GHz
•
LG = 0.25
µm,
WG = 160
µm
•
100％的直流测试
PHOTO扩建
•
低成本的塑料SOT143R套餐
描述
的TC3911是单偏压介质功率SOT143R封装器件与TC1101 PHEMT芯片，
其目的是提供一种单电源。该装置适用于振荡器和低噪声
放大器在广泛的商业应用。所有器件100 ％的直流测试，以确保一致的
质量。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
P
1dB
条件
噪声系数在V
DS
= 3.3 V,
f
= 6GHz的
在1分贝增益压缩点， V输出功率
DS
= 3.3 V
f
= 2.45GHz的
f
= 6GHz的
f
= 2.45 GHz的
f
= 6 GHz的
16
16
18
11
民
典型值
1.5
17
DBM
17
20
dB
13
20
230
mA
° C / W
最大
1.8
单位
dB
G
L
I
DS
R
th
线性功率增益，V
DS
= 3.3 V
漏源电流在V
DS
= 3.3 V
热阻
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
18 dBm的
150毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。
静电放电（ ESD ）预防措施应
在储存，搬运，装配的各个阶段观察，并
测试。静电放电必须小于300V 。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
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