TC3918
REV1_20070503
包装单偏置低噪声砷化镓PHEMT场效应管
特点
!
0.7分贝典型噪声系数为12 GHz的
!
关联度高增益：嘎= 13 dB的典型，在12 GHz的
!
18dBm的典型功率在12GHz
!
13分贝典型的线性功率增益为12 GHz的
!
LG = 0.25
µm,
WG = 160
µm
!
100％的直流测试
!
微-X金属陶瓷封装
PHOTO扩建
描述
的TC3918是单偏置低噪声陶瓷微-X封装器件与TC1101 PHEMT的砷化镓场效应管，
其目的是提供单一的电源的应用。该装置适用于振荡器，低噪声
放大器在广泛的商业应用。所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DS
R
th
噪声系数在V
DS
= 2 V,
f
在V相关的增益
DS
= 2 V,
f
线性功率增益，
热阻
f
条件
= 12GHz的
= 12GHz的
= 12GHz的V
DS
= 4 V
11
16.5
11
13
25
230
dB
mA
° C / W
民
典型值
0.7
13
最大
1.2
单位
dB
dB
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 12GHz的V
DS
= 4 V
漏源电流在V
DS
= 4 V
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C）典型噪声参数（T
A
=25
°
C)
V
DS
= 4 V
符号
V
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
18 dBm的
150毫瓦
175
°C
-65 ° C到+ 175℃
频率
（千兆赫）
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
（ dB）的
0.46
0.49
0.52
0.56
0.64
0.73
0.85
1.08
1.33
G
A
（ dB）的
17.7
16.1
14.6
13.2
12.0
11.0
10.6
10.5
10.2
Γ
选择
MAG
0.80
0.69
0.56
0.42
0.31
0.23
0.21
0.26
0.41
昂
20
42
69
103
146
-161
-97
-19
72
Rn/50
0.67
0.58
0.45
0.32
0.19
0.14
0.13
0.18
0.38
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。
静电放电（ ESD ）预防措施应
在储存，搬运，装配的各个阶段观察，
和测试。静电放电必须小于
300V.
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
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电话： 886-6-5050086
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