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型号: TC3953A
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内容描述: 采用SMT封装1W单偏置和Prematched砷化镓功率PHEMTs [1W Single-Bias and Prematched GaAs Power PHEMTs using SMT package]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 92 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
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TC3953A
PRE3_20070503
- 初步数据表
-
采用SMT封装1W单偏置和Prematched砷化镓功率PHEMTs
特点
Prematched为5〜10千兆赫
在5〜 10 GHz的典型1W输出功率
6.5分贝典型的线性功率增益为10 GHz的
高线性度: IP3 = 40 dBm的典型,在5 〜 10 GHz的
高功率附加效率: 35 %额定PAE在5〜 10 GHz的
击穿电压: BV
DGO
15V
WG = 2.4毫米
100%的直流测试
适用于高可靠性的应用
PHOTO扩建
失去了成本SMT陶瓷封装
描述
该TC3953A是单偏压和prematched砷化镓PHEMT 。它被设计用于低成本,高
量,以及5 〜 10千兆赫1W放大器。它提供了6.5分贝30dBm的和P1dB的典型增益为10
千兆赫。单正漏极偏压为9V,典型的漏 - 源电流为300mA 。该装置是
包装在铜基陶瓷10引脚表面贴装封装。封装的铜基载体
允许器件在印刷电路板的直接焊接。
电气规格(T
A
=25℃)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DS
BV
DGO
条件
输出功率1分贝增益压缩点,
f
= 10 GHz的V
DS
= 9V
线性功率增益,
f
= 10 GHz的V
DS
= 9V
截取点​​的3阶互调的,
f
= 10 GHz的V
DS
= 9V, * P
SCL
= 17 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率,
f
= 10 GHz的
漏源电流在V
DS
= 9V
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 1.2毫安
15
rd
典型值
最大
单位
29
5.5
30
6.5
40
35
300
18
DBM
dB
DBM
%
mA
注: * P
SCL
:单载波电平的输出功率。
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县台湾, ROC
网站: www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
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