TC3977
PRE2_20050418
初步
3 W包装单偏置的GaAs PHEMT功率场效应
特点
•
3W典型输出功率
•
12分贝典型的线性功率增益为2.45GHz的
•
高线性度： IP3 = 45 dBm的典型
•
高功率附加效率： 35 ％额定PAE
•
击穿电压： BV
DGO
≥
18V
•
WG = 7.5毫米
•
100％的直流测试
PHOTO扩建
•
适用于高可靠性的应用
描述
的TC3977是单偏压铜基陶瓷封装的器件具有TC1706N PHEMT的砷化镓场效应晶体管，这是
旨在提供单个电源。 Cu基陶瓷封装提供了优良的热
电导率为砷化镓场效应管。该装置适用于振荡器和功率放大器中的广泛
商业应用。所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
电气特性（ @ 2.45 GHz的）
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DS
BV
DGO
R
th
线性功率增益V
DS
= 10 V
的3截点
rd
阶互调V
DS
= 10 V ， * P
SCL
= 24 dBm的
在1dB压缩功率功率附加效率
漏源电流在V
DS
= 10 V
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 3.75毫安
热阻
18
条件
在1分贝增益压缩点V输出功率
DS
= 10 V
民
典型值
最大
单位
34.5
35.5
12
45
35
900
22
5.3
DBM
dB
DBM
%
mA
伏
° C / W
注： * P
SCL
：单载波电平的输出功率。
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th
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