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    AGR21090EF 参数 Datasheet PDF下载

    AGR21090EF图片预览
    型号： AGR21090EF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 90 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET [90 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管电子放大器局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 402 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AGR21090EF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AGR21090EF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR21090EF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR21090EF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AGR21090EF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AGR21090EF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AGR21090EF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AGR21090EF的Datasheet PDF文件第9页  
    AGR21090E
    90 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
    Typical Performance Characteristics
    (continued)
    16.00
    15.00
    14.00
    P
    GS
    (dB)Z
    8.00
    AM TO AM
    (power gain [dB])
    4.00
    PHASE (degrees)Z
    0.00
    -4.00
    -8.00
    -12.00
    -16.00
    13.00
    12.00
    11.00
    10.00
    9.00
    15.0
    20.0
    AM TO PM
    (PHASE [degrees])
    25.0
    30.0
    P
    IN
    (dBm)Z
    35.0
    40.0
    -20.00
    45.0
    Test Conditions:
    V
    DD
    28 Vdc, f0 = 2140 MHz, I
    DQ
    = 800 mA.
    CW input.
    Figure 10. AM-AM and AM-PM Characteristics

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