AGR09085E
85 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该AGR09085E是一个高电压，横向扩散
金属氧化物半导体（ LDMOS）射频功率管
体管适合于蜂窝频带，码分多
址（CDMA ） ，移动通信全球系统
阳离子（GSM），增强型数据全球演进
（ EDGE）和时分多址（TDMA）
单，多载波AB类无线基站
放大器应用。此设备被制造
采用先进的LDMOS技术提供语句
的先进性能，可靠性和最佳的一流的
热阻。包装在一个行业标
准收纳包内部匹配和
能够传送的最小输出功率的
85 W，它非常适合于当今的射频功率扩增
费里的应用程序。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR09085EU
AGR09085EF
符号
价值
单位
R
JC
0.7
0.7
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR09085EU
AGR09085EF
减免上述25℃ ：
AGR09085EU
AGR09085EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值
V
DSS
65
V
GS
–0.5, 15
I
D
8.5
P
D
250
250
1.43
1.43
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
YLE 1
T
J
06 ，风格1
AGR09085EU （无凸缘）
AGR09085EF （法兰连接）
T
英镑
–65, 150
图1.可用的软件包
特点
典型表现评级是IS- 95 CDMA ，
试点，同步，寻呼和业务守则8-13 ：
- 输出功率（P
OUT
): 20 W.
- 功率增益：18分贝。
- 效率： 28 ％ 。
- 相邻信道功率比（ ACPR ）
30 kHz的带宽（BW） ：
（ 750 kHz偏置： -45 dBc的） 。
1.98 MHz偏移： -60 dBc的） 。
- 回波损耗10分贝。
高可靠性，金metalization过程。
最好的一流的热阻。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
硅LDMOS 。
工业标准封装。
85 W最小输出功率。
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR09085E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
