AGR09090EF
90 W， 865兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该
AGR09090EF
是高电压，金 - 金属化， lat-
erally扩散金属氧化物半导体（ LDMOS）的射频
适合用于移动的COM全球系统功率晶体管
通信系统（GSM ），增强型数据全球演进
（EDGE） ，细胞和多载波AB类功率放大器
应用程序。该器件采用先进的制造
国家的最先进的LDMOS技术，提供性能
和可靠性。包装在一个行业标准包装
并且能够提供90°的最小输出功率W ，
它非常适合于当今的无线基站射频
功率放大器的应用。
表1.热特性
（ 921兆赫， 960兆赫和865兆赫， 895兆赫）
参数
热阻，
结到外壳：
AGR09090EF
符号
R
JC
价值
0.80
单位
° C / W
表2.绝对最大额定值*
（ 921兆赫， 960兆赫和865兆赫， 895兆赫）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR09090EF
减免上述25℃ ：
AGR09090EF
工作结
温度
存储温度范围
符号
价值
65
V
DSS
V
GS
–0.5, +15
8.5
I
D
P
D
—
T
J
219
1.25
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
图1. AGR09090EF （法兰连接）套餐
GSM功能
对于GSM EDGE的典型表现评级
（ F = 941兆赫，P
OUT
= 40 W):
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -60 dBc的。
@ ± 600千赫= -72 dBc的。
- 错误向量幅度（EVM） = 2.3％。
典型的表现在整个GSM频段：
- P1dB为： 105 W一般。
- 功率增益： @的P1dB = 17.8分贝。
- 效率@的P1dB = 60 ％的典型。
- 回波损耗： -10分贝。
T
英镑
–65, +150
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
（ 921兆赫， 960兆赫和865兆赫， 895兆赫）
细胞功能
典型的性能等级（ F = 880 MHz时，
P
OUT
= 40 W):
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -60 dBc的。
@ ± 600千赫= -72 dBc的。
- 错误向量幅度（EVM） = 2.3％。
典型的表现在整个GSM频段：
- P1dB为： 105 W一般。
- 功率增益： @的P1dB = 17.6分贝。
- 效率@的P1dB = 60 ％的典型。
- 回波损耗： -10分贝。
AGR09090EF
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
GSM /蜂窝特点
高可靠性，金metalization过程。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
90瓦最小输出功率。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
