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型号: AGR09130E
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内容描述: 130 W, 921兆赫, 960兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 10 页 / 441 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR09130E
130 W, 921兆赫, 960兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET
介绍
AGR09130E
是高电压时,横向扩散
金属氧化物半导体( LDMOS)射频功率管
体管适合于蜂窝频带,码分多
址(CDMA ) ,移动通信全球系统
阳离子(GSM),增强型数据全球演进
( EDGE)和时分多址(TDMA)
单,多载波AB类无线基站
放大器应用。此设备被制造
采用先进的LDMOS技术提供语句
的最先进的性能和可靠性。包装
业界标准的封装内整合
匹配和能够提供最低的输出
把功率为130 W,它非常适合于当今的射频
功率放大器的应用。
7
表1.热特性
参数
热阻,
结到外壳:
AGR09130EU
AGR09130EF
符号
价值
单位
R
JC
0.5
0.5
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR09130EU
AGR09130EF
减免上述25℃ :
AGR09130EU
AGR09130EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值
V
DSS
65
V
GS
–0.5, 15
I
D
15
P
D
350
350
2.0
2.0
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃,
°C
°C
T
J
AGR09130EU
48
AGR09130EF
5
T
英镑
–65, 150
图1.可用的软件包
特点
典型的收视成绩都为EDGE
格式: 3GPP GSM 05.05 :
- 输出功率(P
OUT
): 50 W.
- 功率增益: 17.8分贝。
- 调制频谱:
@ ± 400千赫= -60 dBc的。
@ ± 600千赫= -72 dBc的。
- 错误向量幅度(EVM) = 1.8 %。
- 回波损耗: -10分贝。
高可靠性,金metalization过程。
内部匹配。
高增益,效率和线性度。
集成的ESD保护。
硅LDMOS 。
工业标准封装。
P
1dB
130 W最小输出功率。
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况,在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR09130E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值(V)的
500
50
1500
1B
A
4
*虽然静电放电( ESD )保护电路具有
被设计到这个设备,适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力( EOS )
在所有的处理,装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型( HBM ) ,机器模型( MM )
并在充电装置模型(CDM)的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数,由定义
JEDEC的JESD22- A114B (HBM) , JESD22- A115A ( MM)和
JESD22- C101A (CDM)的标准。
注意: MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。