AGR18045E
45 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR18045E是一个高电压，金金属化
横向扩散金属氧化物半导体
（ LDMOS） RF功率场效应晶体管（FET） suit-
能为全球移动通信系统
系统（GSM） ，全球演进（ EDGE）的增强型数据，
和多载波AB类功率放大器的应用
系统蒸发散。该器件采用先进的制造
国家的最先进的LDMOS工艺提供perfor-
曼斯和可靠性。它被封装在业界
标准封装，能够提供一个MIN-的
的45瓦imum输出功率，这使得它的理想
适用于当今的射频功率放大器应用。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳
符号
R
ı
JC
价值
1.5
单位
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
符号价值
漏源电压
V
DSS
65
栅源电压
V
GS
–0.5, 15
漏电流连续
I
D
总功耗在T
C
= 25°C P
D
115
减免上述25
°C
—
0.67
工作结温
T
J
200
TURE
储存温度范围T
英镑
–65, 150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
图1.可用（法兰连接）套餐
特点
对于GSM EDGE的典型表现评级
（ F = 1.840 GHz的，P
OUT
= 15 W)
- 误差矢量幅度（ EVM ） ： 1.9 ％
- 功率增益： 15分贝
- 漏极效率： 32 ％
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -63 dBc的。
@ ± 600千赫= -73 dBc的。
典型的连续波（ CW ）的性能比
整个数字通信系统（DCS）频段：
- P1dB为： 49 W一般（典型值） 。
- 功率增益： @的P1dB = 14分贝。
- 效率： @的P1dB = 53 ％ （典型值） 。
- 回波损耗： -12分贝。
高可靠性，金金属化工艺。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
45瓦最小输出功率。
装置能承受10 ： 1的电压驻波
在26伏， 1.840千兆赫， 45瓦CW比（VSWR ）
输出功率。
可用大信号阻抗参数。
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR18045E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
