初步数据表
2003年9月
AGR18090E
90 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR18090E是高电压，金 - 金属化，
横向扩散金属氧化物半导体
（ LDMOS ） RF功率适用于全球系晶体管
统为移动通信系统（GSM ），增强型
全球演进技术（EDGE ） ，和多载波数据
AB类功率放大器的应用。该装置是
采用先进的LDMOS技术制造
提供先进设备，最先进的性能和可靠性。它
封装在一个工业标准的封装，
能够提供90°的典型输出功率W的
这使得它非常适合于当今的无线
基站RF功率放大器应用。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR18090EU
AGR18090EF
符号
R
ı
JC
R
ı
JC
价值
0.75
0.75
单位
° C / W
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR18090EU
AGR18090EF
减免上述25
ˇC:
AGR18090EU
AGR18090EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值
V
DSS
65
V
GS
–0.5, 15
I
D
8.5
P
D
P
D
—
—
T
J
230
230
1.31
1.31
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
°C
AGR18090EU
AGR18090EF
图1.可用的软件包
特点
对于GSM EDGE的典型表现评级
（ F = 1.840 GHz的，P
OUT
= 30 W):
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -63 dBc的。
@ ± 600千赫= -73 dBc的。
- 错误向量幅度（EVM） = 1.7％。
- 增益= 15分贝。
- 漏极效率= 31 ％ 。
典型的连续波（ CW ）的性能比
整个数字通信系统（DCS）频段：
— P
1dB
： 90瓦（典型值） 。
- 功率增益： @ P
1dB
= 14分贝。
- 效率@ P
1dB
= 50 ％ （典型值） 。
- 回波损耗： -10分贝。
高可靠性黄金金属化的过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
90瓦最小输出功率。
装置能承受10 ： 1的电压驻波
在26伏直流比（VSWR） ， 1.840千兆赫， 90瓦的CW输出
把权力。
可用大信号阻抗参数。
T
英镑
–65, 150
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR18090E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
使用一了人体模型（HBM ）和一个充电装置
模型（CDM） ，以确定合格要求
静电敏感性限制和保护设计评估。 ESD
电压阈值依赖于所使用的电路参数
在每个模型，通过JEDEC的JESD22- A114定义
（HBM）和JESD22- C101 （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
