AGR19090E
90 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR19090E是90 W， 28 V的N沟道横向
扩散金属氧化物半导体（ LDMOS）的射频
功率场效应晶体管（FET）适于per-
SONAL通信服务（PCS） （1930 MHz-
1990兆赫） ，宽带码分多址
（ W-CDMA） ，全球移动通信系统
（ GSM / EDGE ） ，时分多址（TDMA） ，
与单载波或多载波AB类功率
放大器应用。
GSM功能
典型的表现在整个GSM频段：
- P1dB为： 90 W的典型。
- 连续波（ CW ）功率增益： @的P1dB =
14.0分贝。
- CW效率@的P1dB = 50 ％的典型。
- 回波损耗： -12分贝。
设备性能特点
高可靠性，金metalization过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
AGR19090EU （无凸缘）
AGR19090EF （法兰连接）
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10 ： 1的电压驻波
在28伏直流， 1930兆赫， 90瓦CW比（VSWR ）
输出功率。
可用大信号阻抗参数。
图1.可用的软件包
N-二CDMA特点
典型的2载波n -CDMA性能： V
DD
=
28 V，I
DQ
= 850毫安， F1 = 1958.75兆赫， F2 =
1961.25兆赫， IS- 95 CDMA （试点，同步，寻呼，
交通守则8-13 ） 。峰值/均值（ P / A） = 9.72分贝
在CCDF上0.01 ％的概率。 1.2288 MHz的传输
使命带宽（ BW ） 。相邻信道功率
比（ACPR ）测定在30 kHz的带宽在f1的 -
885千赫和f2 + 885千赫。三阶intermodu-
测量LATION （ IM3 ）的失真过
1.2288 MHz带宽的F1 - 2.5兆赫和f2 + 2.5兆赫。
- 输出功率（P
OUT
): 18 W.
- 功率增益15.0分贝。
- 效率： 25.8 ％ 。
- IM3 ： -34.5 dBc的。
- ACPR ： -50 dBc的。
ESD额定值*
AGR19090E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
优势特点
典型的边缘表现（1960兆赫， 26 V ，
I
DQ
= 800 mA）的：
- 输出功率（P
OUT
): 36 W.
- 功率增益15.0分贝。
- 效率： 38 ％ 。
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -61.0 dBc的。
@ ± 600千赫= -73.0 dBc的。
- 错误向量幅度（EVM） = 2.2％。
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
