AGR19125E
125瓦， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR19125E是125 W， 28 V的N沟道later-
同盟扩散金属氧化物半导体（ LDMOS）
射频功率场效应晶体管（FET）适合
个人通信服务（ PCS）的
（1930兆赫， 1990兆赫） ，时分多
址（TDMA） ，和单载波还是多载波
AB类功率放大器的应用。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR19125EU
AGR19125EF
符号
R
ı
JC
R
ı
JC
价值
0.5
0.5
单位
° C / W
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR19125EU
AGR19125EF
减免上述25
°C:
AGR19125EU
AGR19125EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值单位
65
VDC
V
DSS
V
GS
-0.5 ， + 15VDC
P
D
P
D
—
—
T
J
350
350
2.0
2.0
200
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
AGR19125EU （无凸缘）
AGR19125EF （法兰连接）
图1.可用的软件包
特点
典型的2载波，N -CDMA性能
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 1250毫安， F1 = 1958.75兆赫，
F2 = 1961.25兆赫， IS- 95 （飞行员，寻呼，同步，
业务信道8-13 ） 1.2288 MHz信道
带宽（BW） 。相邻信道测
在30kHz带宽在F1 - 0.885 MHz和
F2 + 0.885兆赫。互调失真
产品实测超过1.2288 MHz带宽的
F1 - 2.5 MHz和F2 + 2.5兆赫。峰值/平均
（ P / A） = 9.72分贝在CCDF上0.01 ％的概率：
- 输出功率： 24 W.
- 功率增益：15分贝。
- 效率： 24 ％ 。
- ACPR ： -48 dBc的。
- IMD3 ： -34 dBc的。
- 回波损耗： -10分贝。
高可靠性，金metalization过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10：1的电压驻波
在28伏直流比（VSWR ） ，1960兆赫， 125瓦contin-
uous波（ CW）的输出功率。
可用大信号阻抗参数。
T
英镑
–65, +150 °C
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR19125E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
