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型号: AGR19125EU
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内容描述: 125瓦, 1930兆赫, 1990兆赫, PCS LDMOS RF功率晶体管 [125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管过程控制系统PCS放大器
文件页数/大小: 10 页 / 369 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR19125E
125瓦, 1930兆赫, 1990兆赫, PCS LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
(续)
IMD ,互调失真( DBC)
S
IMD3
-25
-35
IMD5
IMD7
-45
-55
100
1000
10000
100000
音调间隔(千赫)S
测试条件:
V
DD
= 28 V , F = 1960兆赫,我
DQ
= 1250毫安,P
OUT
= 125 W( PEP ) 。
图8.双音互调产物与音频间隔
44
43
漏极效率( %)S
5
0
效率
-5
-10
-15
-20
IMD3
-25
-30
26
27
28
29
30
-35
IMD3 ,互调
S
失真( dBc的)S
42
41
40
39
38
37
36
24
25
V
DD
极,漏极电压(V )S
测试条件:
F = 1960兆赫,我
DQ
= 1250毫安,P
OUT
= 125 W( PEP ) , 100 kHz的音频间隔。
图9.双音互调失真和效率与漏极供电