AGR21060E
60 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该AGR21060E是高电压，金 - 金属化，
增强模式，横向扩散金属氧化物
半导体（ LDMOS ） RF功率晶体管suit-
能够用于宽带码分多址
（ W- CDMA ），单载波和多载波AB类无线
基站功率放大器的应用。
)
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR21060EU
AGR21060EF
符号
R
ı
JC
R
ı
JC
价值
1.0
1.0
单位
° C / W
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR21060EU
AGR21060EF
减免上述25
°C:
AGR21060EU
AGR21060EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值单位
V
DSS
65
VDC
V
GS
-0.5 ， 15 VDC
P
D
P
D
—
—
T
J
175
175
1.0
1.0
200
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
°C
AGR21060EU （无凸缘）
AGR21060EF （法兰连接）
5B 03风格1
图1.可用的软件包
特点
典型表现为两个载波3GPP
W-CDMA系统。 F1 = 2135 MHz和
F2 = 2145 MHz的3.84 MHz信道带宽
（ BW ） ，邻信道带宽= 3.84 MHz的在F1 -
5 MHz和F2 + 5兆赫。三阶失真是
F1处测过3.84 MHz带宽 - 10 MHz和
F2 + 10兆赫。典型的P / 8.5分贝0.01 ％的比例
（概率） CCDF ：
- 输出功率： 13.5 W.
- 功率增益为14.5分贝。
- 效率： 26 ％ 。
- IM3 ： -34 dBc的。
- ACPR ： -37 dBc的。
- 回波损耗： -12分贝。
高可靠性黄金金属化的过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10：1的电压驻波
在28伏直流， 2140兆赫比（VSWR ） ， 60瓦continu-
OU的波（ CW）的输出功率。
可用大信号阻抗参数。
T
英镑
–65, 150
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR21060E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
