AGR26125E
125瓦， 2.5千兆赫， 2.7千兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该AGR26125E是高电压，金 - 金属化，
增强模式，横向扩散金属氧化物
半导体（ LDMOS ） RF功率晶体管suit-
能为超高频（ UHF）的应用程序
包括多通道多点分布服务
（ MMDS）广播和通信。
)
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR26125EU
AGR26125EF
符号
R
ı
JC
R
ı
JC
价值
0.5
0.5
单位
° C / W
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR26125EU
AGR26125EF
减免上述25
°C:
AGR26125EU
AGR26125EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值单位
V
DSS
65
VDC
V
GS
-0.5 ， + 15VDC
P
D
P
D
—
—
T
J
350
350
2.0
2.0
200
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
AGR26125EU （无凸缘）
AGR26125EF （法兰连接）
5B 03风格1
图1.可用的软件包
特点
典型的脉冲式的P1dB ， 6 μs的脉冲10 ％占空比： 125 W.
典型表现为MMDS系统。
F = 2600兆赫，我
DQ
= 1300毫安， VDS = 28 V ，
相邻信道带宽= 3.84 MHz时， 5 MHz偏移;
备用信道带宽= 3.84 MHz的10 MHz偏移。
典型的P / 9.8分贝0.01 ％的比例（概率）
CCDF * ：
- 输出功率： 20瓦
- 功率增益11.5分贝。
- 功率附加效率（ PAE ） ： 19 ％ 。
- ACLR1 ： -35 dBc的。
- ACLR2 ： -37 dBc的。
高可靠性，金metalization过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10：1的电压驻波
在28伏直流比（VSWR ） ， 2600兆赫， 125瓦contin-
uous波（ CW）的输出功率。
可用大信号阻抗参数。
*所用的测试信号是4通道的W-CDMA测试模型1。这
测试信号提供了同等的参考（占用带宽
和波形EPF）用于与MMDS的实际表现
波形。
T
英镑
–65, +150 °C
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR26125E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
