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AH322图片预览
型号: AH322
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内容描述: 2W高线性度的InGaP HBT放大器 [2W High Linearity InGaP HBT Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 446 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AH322
2W高线性度的InGaP HBT放大器
典型的设备数据
S参数(VCC = 5 V,I
cq
= 500毫安,T = 25
°C,
校准器件引线)
1.0
1.0
6
0.
0.
6
45
0.
4
0. 8
0 .8
增益和最大稳定增益
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
0.5
1
1.5
2
频率(GHz )
2.5
3
2.14 GHz的
7.19分贝
2.14 GHz的
22.7分贝
0
S11
SWP最大
4GHz
2.
0
S22
SWP最大
4GHz
2.
0
0
3.
10 .0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
.
-0
4
.0
-2
-0
.4
-0
-0
.6
.6
- 0. 8
-0 .8
.
-2
0
SWP敏
0.01GHz
注意事项:
的增益为50欧姆系统不匹配的装置被示为轨迹的粉红色, [ DB (S (2, 1)] 。对于一个调谐电路
特定频率,因此预计实际增益会更高,直到达到最大稳定增益。最大稳定增益示于
蓝线[ DB ( GMAX )。
阻抗曲线如图0.01 - 4千兆赫,与放置在0.5 GHz的增量指标。
S参数(V
cc
= +5 V,I
cq
= 500毫安,T = 25
°C,
无与伦比的50欧姆系统,校准器件引线)
频率(MHz )
S11( dB)的
S11 ( ANG)
S21 ( dB)的
S21 ( ANG)
S12 ( dB)的
S12 ( ANG)
50
-0.74
-174.58
29.75
109.51
-43.47
25.51
100
-0.53
-179.31
24.21
98.59
-43.22
17.83
200
-0.45
176.71
18.46
89.55
-42.49
8.135
400
-0.44
170.07
12.77
80.82
-42.04
5.31
600
-0.56
163.11
9.78
73.71
-41.41
10.52
700
-0.61
159.9
8.73
69.49
-41.21
11.31
800
-0.64
156.03
7.94
65.68
-40.26
12.5
1000
-0.78
147.66
6.8
56.95
-39.65
7.88
1200
-0.87
138.49
6.11
46.99
-38.34
2.45
1400
-1.08
128.32
5.8
36.79
-37.99
-3.1
1600
-1.4
117.39
5.83
25.05
-37.52
-14.57
1800
-1.94
106.19
6.17
10.83
-37.39
-27.07
2000
-3.2
95.9
6.8
-7.89
-37.45
-42.22
2200
-5.84
94.01
7.36
-33.75
-38.56
-69.38
2400
-6.52
112.96
6.5
-64.88
-41.93
-115.31
2600
-4.45
121.06
4.77
-92.83
-41.83
167.17
2800
-2.44
117.78
2.24
-121.06
-38.13
103.07
3000
-1.26
108.49
-1.12
-142.85
-34.99
62.15
S22 ( dB)的
-1.15
-1.22
-1.19
-1.22
-1.18
-1.12
-1.17
-1.22
-1.26
-1.33
-1.49
-1.46
-1.41
-1.21
-0.9
-0.4
-0.27
-0.35
-1.0
-1.0
S22 ( ANG)
-135.3
-157.31
-170.3
-178.39
176.07
173.93
171.69
166.82
162.15
157.29
152.31
147.31
143.05
138.4
133.24
126.56
119.41
112.36
应用电路的PCB布局
电路板材料:顶级RF层是0.014 “ GETEK ,
є
r
= 4.0 ,共4层( 0.062 “厚)机械刚性
1盎司铜,微带线的详细信息:宽= 0.026 “间距= 0.026 ”
丝印标记“A” , “B” , “C”等,和'1' ,'2' ,'3' ,等用作placemarkers用于输入和输出调谐
并联电容器 - C8 , C5和C2 。标记和过孔的间距在.050 “的增量。
TriQuint半导体股份有限公司
电话1-800-951-4401
FAX : 408-577-6633
电子邮件: info-sales@tqs.com
网站: www.TriQuint.com
-4
.0
-5
.0
-3
.
0
-4
.0
-5 .
0
2
-0 .
.2
-0
SWP敏
0.01GHz
-10.0
0. 2
2.14 GHz的
r 0.493722
x 0.825153
4.
0
0
5.
0.
4
-1 0.0
-3
.0
DB( MSG ())
De_emebedded S_parameter
DB(|S(2,1)|)
De_emebedded S_parameter
3.
0
0
4.
2.14 GHz的
r 0.0838672
x 0.36526
5. 0
0.
2
10 .0
.
2009年4月