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AH322-S8PCB900 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AH322-S8PCB900
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内容描述: 2W高线性度的InGaP HBT放大器 [2W High Linearity InGaP HBT Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 446 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AH322
2W高线性度的InGaP HBT放大器
产品特点
400 - 2700兆赫
+33 dBm的P1dB为
+50 dBm的输出IP3
13.4分贝增益@ 2140 MHz的
500毫安静态电流
+5 V单电源
MTTF >百年
无铅/符合RoHS标准
SOIC -8封装
产品说明
该AH322是一款高动态范围驱动放大器的
低成本表面贴装封装。该InGaP /砷化镓HBT是
能够实现高性能的关于各种narrowband-
高达50 OIP3和+33调谐应用电路
dBm的压缩1分贝力量。它坐落在一个铅
免费/符合RoHS标准的SOIC -8封装。所有设备都100 %
RF和DC测试。
将AH322是针对于用作驱动器放大器中
无线基础设施需要高线性度和媒体
电源是必需的。该AH322是理想的最后阶段
小型中继器或驱动器级的高功率
放大器。此外,该放大器可以用于宽
各种内的400〜 2700 MHz的其他应用
频带。
工作原理图
1
8
2
3
7
6
4
5
应用
最后阶段放大器中继器
高功率放大器
移动基础设施
LTE / WCDMA / EDGE / CDMA
功能
IREF
输入
输出/ VCC
VBIAS
GND
GND
PIN号
8
3
6, 7
1
背面桨
2, 4, 5
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入R.L.
输出R.L.
输出P1dB为
输出IP3
(2)
WCDMA信道功率
(3)
@ -50 dBc的ACLR
典型性能
单位最小值
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
V
mA
mA
400
2140
13.4
14.7
7.8
+33
+50
+24.1
4.8
+5
500
30
典型值
最大
2700
参数
频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
WCDMA信道功率
(3)
@ -50 dBc的ACLR
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
V
mA
mA
940
19.4
18
8.5
+23.6
+33.0
+47.6
8.5
典型
1960
14.1
11.3
11.8
+24.4
+33.3
+50.2
4.5
+5
30
500
2140
13.4
14.7
7.8
+24.1
+33
+50
4.8
噪声系数
VCC , V偏压
静态集电极电流
(4)
IREF
输出P1dB为
输出IP3
(2)
噪声系数
VCC , V偏压
IREF
静态集电极电流
600
500
1.测试条件除非另有说明: 25℃ , + 5V V供电, 2140兆赫,在调整应用电路。
2. 3OIP在21 dBm的/音输出功率为1 MHz , 940分开测量两个音
兆赫。 OIP3为+24 dBm的/音输出功率为1 MHz分开测量两个音,
1960 MHz和2140分别兆赫。上最大的IM3产物的抑制被用来
计算使用的是2的OIP3 : 1的规则。
3. 3GPP WCDMA , TM1 + 64DPCH , ± 5 MHz偏移,不剪裁, PAR = 10.2分贝@ 0.01 %
概率。
4.这对应于小信号条件下,静态电流或工作电流成
管脚6和7 。
绝对最大额定值
参数
储存温度
RF输入功率, CW , 50 , T = 25℃
器件电压VCC V偏压
器件的电流
设备电源
热阻, RTH
结温, TJ
等级
-65到+150
°C
输入P
10
dB
+8 V
1400毫安
8W
18.6
°C
/ W
+200
°C
订购信息
产品型号
AH322-S8G
AH322-S8PCB900
AH322-S8PCB1960
AH322-S8PCB2140
描述
2W高线性度的InGaP HBT放大器
(无铅/符合RoHS指令的SOIC - 8 PKG )
920 - 960 MHz的评估板
1930年 - 1990 MHz的评估板
2110年至2170年兆赫评估板
.
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
标准T / R的大小= 1000块一7“卷轴。
TriQuint半导体股份有限公司
电话1-800-951-4401
FAX : 408-577-6633
电子邮件: info-sales@tqs.com
网站: www.TriQuint.com
2009年4月