HFET2MI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFET2MI
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内容描述：	0.5 -μm的HFET 2MI [0.5-レm HFET 2MI]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 313 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

0.5-µm

HFET 2MI

工艺数据表

4.6微米电镀

CAP顶板

2000氮化物

0.75微米的第一金属

氮化钽电阻

门

活动区

欧姆金属（除VIA ）

半绝缘的GaAs衬底

特点

•

0.5微米放大器晶体管

0.5 -μm的开关晶体管

0.5 -μm的二极管

器件钝化

高Q值无源器件

MIM电容器

氮化钽电阻

砷化镓电阻

2金属层

空中桥梁

基板通孔

操作至V

= 10 V

高达20 GHz

通讯

空间

军事

功率放大器

驱动放大器

AGC放大器

限幅放大器

跨阻放大器器

差分放大器器

下通过CAP

0.5微米2MI工序的剖面图

应用

•

概述

的0.5微米的异质结场效应晶体管（ HFET ）过程是一个去

完井模式2MI （2-金属互连）方法，应用程序

到20 GHz的阳离子。的HFET I-V特性亲

韦迪对于高功率，高线性，非凡transcon-

导度的均匀性和高的击穿电压。无源器件

包括2个厚的金属互连层，精密TaN的

电阻器，电阻器的GaAs ， MIM电容和吞吐量

基孔。在尺寸的电容器，过经由过程助手

压实，并提供优良的场地，在较高频率

资本投资者入境计划。

西伦纳路500号

理查森，德克萨斯州75080

半导体通信，航天和军事

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规格如有变更。

第6 1 ; 06年1月30日

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