T1G6001528-Q3EVB1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T1G6001528-Q3EVB1
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内容描述：	55W ， 28V ，特区的???? 3.5GHz的，氮化镓射频功率晶体管 [55W, 28V, DC â 3.5GHz, GaN RF Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	4 页 / 830 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

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T1G4005528-FS

应用

•

军用雷达

•

民用雷达

•

专业和军事电台

通讯

•

测试仪表

•

航空电子学

•宽带或窄带放大器

55W ， 28V ， DC - 3.5GHz的，氮化镓射频功率晶体管

5.461

10.992

产品特点

•频率： DC至3.5 GHz的

•线性增益： >15分贝在3.5 GHz的

•工作电压： 28 V

•

输出功率（P

3dB

）：在3.5 GHz的55瓦

•

无铅并符合RoHS标准

功能框图

1.524

+.000

3.505 -.203

.508

概述

TriQuint的T1G4005528 -FS是一个55 W（ P

3dB

)

对SiC HEMT它工作在不连续的GaN

DC至3.5 GHz的。设备与构造

TriQuint的证明0.25微米生产工艺，

它具有先进的场板技术

在高漏极优化功率和效率

偏置工作条件。这种优化可以

在较少的计算潜在地降低系统成本

放大器阵容和较低的热管理

成本。

针＃

轮缘

符号

RF输出

RF输入

来源

9.652

订购信息

材料NO 。

1078974

1079752

产品型号

T1G4005528-

FS-EVB1

描述

包装的一部分：

兰

3.0-3.5 GHz的

EVAL BRD

ECCN

EAR99

数据表：修订版D 2011/8/10

–1–

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