T1P2701012-SP
10瓦， 12V ， 500 MHz的- 3GHz的， POWERBAND
TM
pHEMT的射频功率晶体管
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定ED ： TA = 25 ℃。
表3.直流特性
参数
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
击穿电压门源
击穿电压栅极 - 漏极
表4.射频特性
参数
增益@的P1dB ，为500MHz - 3GHz的
（ VDS = 12V， POUT = 10W， IDD = 200 mA）的
P1dB的， 500MHz的- 3GHz的
（ VDS = 12V， POUT = 10W， IDD = 200 mA）的
功率附加ê FFI效率，为500MHz - 3GHz的
（ VDS = 12V， POUT = 10W， IDD = 200 mA）的
收益
（ VDS = 12V， POUT = 15 W， IDQ = 200 mA）的
输出功率
（ VDS = 12 V ， 1 dB压缩， IDQ = 200 mA）的
排水ê FFI效率
（ VDS = 12V， POUT =的P1dB ， IDQ = 200 mA）的
耐用性
（ VDS = 12V， POUT = 15 W， IDQ = 200 mA时， F = 500 MHz时，
驻波比= 3 ：1，所有的角度）
符号
G
P1dB
—
民
—
—
—
典型值
10
10
45
最大
—
—
—
单位
dB
W
%
功能性测试，
瞬时带的宽度（经过测试，在TriQuint公司的宽带测试夹具）
符号
IDSS
Gm
VP
VBGS
VBGD
民
—
—
-1.35
-30
-30
典型值
3000
4000
-1
—
—
最大
—
—
-0.65
-8
-15
单位
mA
mS
V
V
V
功能性测试，
窄带RF性能（ 1GHz的）
G
P1dB
—
—
—
—
—
17
15
59
—
—
—
dB
W
%
没有退化的输出功率。
初步数据表
如有变更，
www.triquint.com/powerband
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
