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型号: T1P3003028-SP
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内容描述: 30W, 28V , 500 MHz的- 2GHz的,脉冲, PowerbandTM的pHEMT射频功率晶体管 [30 W, 28V, 500 MHz-2GHz, Pulsed, PowerbandTM pHEMT RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管射频脉冲
文件页数/大小: 7 页 / 361 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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T1P3003028-SP
30W, 28V , 500 MHz的- 2GHz的,脉冲, POWERBAND
TM
pHEMT的射频功率晶体管
介绍
该T1P3003028 - SP是一个POWERBAND
TM
离散pHEMT制,
耗尽型,设计用于操作RF功率晶体管
为500MHz到2GHz的宽带线路。该装置具有一个IN-
跨30瓦特的stantaneous带的宽度的P1dB输出功率
当在TriQuint的宽波段测试操作的整个频带
夹具。该T1P3003028 -SP也可以在窄带用AP-
并发症和额定功率为40Watts的P1dB为2GHz 。
图1.可用的软件包
- 窄带高达2GHz
= 12分贝增益
- 58 %E FFI效率
- 40Watt的P1dB
表1.最大额定值
符号
V+
V-
l+
PD
总胆固醇
参数
正电源电压
负电源电压范围
正电源电流
功耗
工作通道温度
价值
28 V
-5V至0V
5.6A
70毫安
见注3
150
o
C
2/ 3/
4/
2/
笔记
2/
| LG |门电源电流
1 /这些评级代表了这个最大可操作的价值
装置。
2电源电压,电源电流,输入功率/组合,
输出功率不得超过PD 。
3 /对于平均寿命
ti
的1E + 6小时我,功耗是有限的
到: PD (最大值) = (150℃ - TBASE ℃) / 5.6 ( ℃/ W)的
4 /结工作温度将直接在FF ECT设备
MEDIAN
ti
我要失败TM。为了获得最大的生活,这是中建议
修补该交界处的温度被保持在最低
可能的水平。
表2.热信息
参数
测试条件
总胆固醇
(°C)
145
θJC
( ° C / W)
5.6
TM
(小时)
1.6E+6
特点
- 脉冲特性
- 从卓越的瞬时带宽宽的表现
为500MHz - 2GHz的
- 加强电子FFI效率产生显着的优势
- 更小,更轻的系统
- 降低系统组件成本
- 减少能源消耗
- 典型的性能额定值
- 宽波段的500MHz - 2GHz的
(如TriQuint公司宽带测试夹具)
- 10分贝增益
- 50 %E FFI效率
- 30Watt的P1dB
θ
JC热电阻VD = 10 V
tance (渠道
IDQ = 900毫安
载体的背面) PDISS = 9瓦
初步数据表
如有变更,
www.triquint.com/powerband