先期产品信息
2005年7月19日
TGA4506
机械制图
.09 [0.003]
.22 [0.009]
.93 [0.037]
6
1.12 [0.044]
.49 [0.019]
.74 [0.029]
5
.82 [0.032]
.73 [0.029]
2
3
4
7
.41 [0.016]
1
.48 [0.019]
.09 [0.004]
.00 [0.000]
.00 [0.000]
.09 [0.004]
11
10
9
8
.08 [0.003]
.21 [0.008]
.74 [0.029]
.88 [0.035]
.98 [0.038]
单位：毫米[英寸]
厚度： 0.10 [ 0.004 ] （仅供参考）
芯片边缘到结合焊盘的尺寸示于键合焊盘中心。
芯片尺寸公差： ± 0.05 [ 0.002 ]
射频地通过背面
焊垫＃ 1
焊盘＃ 2
焊盘＃ 3
焊盘＃ 4
焊盘＃ 5
焊盘＃ 6
焊盘＃ 7
焊盘＃ 8
焊盘＃ 9
焊盘＃ 10
焊盘＃ 11
RF输入
N / C
VG1
VG2
N / C
N / C
RF输出
N / C
VD
VD
VD
0.11 x 0.19
0.08 x 0.08
0.08 x 0.08
0.08 x 0.08
0.08 x 0.08
0.08 x 0.08
0.11 x 0.19
0.09 x 0.08
0.09 x 0.08
0.09 x 0.08
0.10 x 0.10
[0.004 x 0.007]
[0.003 x 0.003]
[0.003 x 0.003]
[0.003 x 0.003]
[0.003 x 0.003]
[0.003 x 0.003]
[0.004 x 0.007]
[0.004 x 0.003]
[0.004 x 0.003]
[0.004 x 0.003]
[0.004 x 0.004]
.
砷化镓MMIC设备容易受到静电放电损害。适当的预防措施
在搬运，装配和测试来观察。
1.21 [0.048]
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7
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
