TGA4705-FC
表四
功耗和热性能
参数
最大功率耗散
测试条件
Tbaseplate = 102.5 ç
价值
PD = 0.432 W¯¯
Tchannel = 150℃
TM = 2.4E + 7小时
θJC = 110℃ / W
Tchannel = 98.2 ç
TM = 1.68E + 10小时
请参阅回流焊
配置文件（第11页）
-65〜 150℃
笔记
1/ 2/ 3/
热阻， θJC
VD = 2 V
ID = 60毫安
PD = 0.12 W¯¯
Tbaseplate = 85℃
3/
安装温度
储存温度
1/
对于2.4E + 7小时平均寿命，功耗限制为
PD（MAX ） = （ 150 ºC - TBASE ºC ） / θJC 。
2/
3/
通道的工作温度将直接影响设备的寿命中位数（TM ） 。为了获得最大的生活，
建议信道的温度被保持在尽可能低的水平。
对于这个倒装芯片，基板是在Cu / Sn的柱子和测试板之间的平面上。对于
TGA4705 -FC ，热功耗是18至25 （见机械的关键支柱
图。 ）
中位生存时间（TM ）与通道温度
1.E+13
1.E+12
平均寿命（小时）
1.E+11
1.E+10
1.E+09
1.E+08
1.E+07
1.E+06
1.E+05
1.E+04
FET11
25
50
75
100
125
150
175
200
通道温度（ ℃）
4
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2012年4月© 2009E版D
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