产品数据表
2005年6月14日
最大额定值
符号
V
+
参数1 /
正电源电压
漏极偏置应用通片上端接
漏极偏置应用在RF输出采用偏置牛逼
正电源电流
价值
12 V
10 V
笔记
VD （ RFOUT ）
V
+
漏极偏置应用通片上端接
漏极偏置应用在RF输出采用偏置牛逼
功耗
负的门
电压
栅电流
控制门
电压
栅电流
RF输入
正弦连续波功率
工作通道温度
储存温度
110毫安
250毫安
2.4 W
0 V至-3 V
5毫安
VD / 2〜 -3 V
5毫安
23 dBm的
150 C
-40〜 125℃
0
0
2/
Id
P
d
Vg
Ig
VCTRL
ICTRL
P
IN
T
CH
T
英镑
3/
4/
5/ 6/
注意事项：
1 /这些评分代表该设备的最大可操作的值。
2 /保证不对VD和标识的组合不超过最大功耗额定值。
3 /当在此偏置条件为80的基板温度下操作
0
C时，平均无故障时间
（MTTF ）从2.6E + 7〜 1E + 6小时减少。
4 /保证不对VCTRL从不超过Vd的偏压和关闭序列，以及在正常操作期间。
5 /这些额定值适用于每一个人FET 。
6 /结工作温度将直接影响设备的平均无故障时间（ MTTF ） 。为了获得最大的
寿命，所以建议的结温保持在尽可能低的水平。
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知。
2
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TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
