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TGF2021-12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: TGF2021-12
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内容描述: DC - 12 GHz的分立功率pHEMT制 [DC - 12 GHz Discrete power pHEMT]
分类和应用: 射频微波高功率电源
文件页数/大小: 8 页 / 150 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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先期产品信息
2005年9月19日
DC - 12 GHz的分立功率pHEMT制
TGF2021-12
主要特点及性能
频率范围: DC - 12 GHz的
> 42 dBm的额定PSAT
58 %最大PAE
11分贝额定功率增益
适用于高可靠性的应用
12毫米X 0.35米功率pHEMT制
额定偏置VD = 8-12V , IDQ = 900-1500mA
(U
Lander(国家) RF驱动器,编号从900毫安到2560毫安上升)
芯片尺寸: 0.57 X 2.93 X 0.10毫米
( 0.022 X 0.115 X 0.004英寸)
产品说明
TriQuint的TGF2021-12是一个离散12
毫米的pHEMT它工作在DC- 12
千兆赫。该TGF2021-12使用设计
TriQuint的证明标准的0.35微米功率
pHEMT的生产过程。
该TGF2021-12通常提供
42 dBm的饱和输出功率与
11 dB的功率增益。最大功率
附加效率为59 %,这使得
TGF2021-12适合于高效率
应用程序。
该TGF2021-12也非常适合
点至点无线电,高​​可靠性的空间,
和军事应用。
该TGF2021 -具有保护表面
钝化层提供环境
鲁棒性。
无铅并符合RoHS标准
主要应用
35
30
点至点收音机
高可靠性的空间
军事
基站
宽带无线应用
最大增益(dB )
25
20
15
10
5
0
0
2
4
味精
MAG
6
8
10
12
14
16
频率(GHz )
注:此设备是在之前敲定所有电气规格的表征过程的早期阶段。规格如有
更改,恕不另行通知。
TriQuint半导体公司德州:电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件: Info-mmw@tqs.com网站: www.triquint.com
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