先期产品信息
2005年9月19日
表三
射频表征表
1/
(T
A
= 25
°C,
标称）
符号
动力调谐：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Γ
L
3/,4/
效率的关注：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Γ
L
3/, 4/
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
33
59
11.5
24.50
1.077
0.778
∠
155.2
33.7
55
11
27.79
1.011
0.774
∠
152.7
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
33.8
50
11
13.30
0.927
0.719
∠
164.9
34.5
48
11
15.97
0.953
0.720
∠
161.4
TGF2021-02
VD = 12V
IDQ = 150毫安
单位
参数
VD = 10V
IDQ = 150毫安
DBM
%
dB
Ω
pF
-
DBM
%
dB
Ω
pF
-
在此表中的1 /值是从1毫米单位的pHEMT细胞采取在10GHz的测量标
2 /大信号等效pHEMT的输出网络
在10GHz 3 /最佳负载阻抗为最大功率或最大的PAE
4该设备的反射系数计算了从规模较大的信号卢比&的Cp 。
串联电阻和电感（ Rd和Ld）在第4页的图中所示被排除
表四
热信息
参数
θ
JC
热阻
测试条件
T
CH
(
o
C)
148
T
JC
（ QC / W）
43.3
T
M
（小时）
1.2 E+6
VD = 12 V
（通道运营商的背面） IDQ = 150毫安
PDISS = 1.8 W¯¯
注：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万粗磨
载体在70℃下底板温度。
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
3
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
