TGF2023-01 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TGF2023-01
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内容描述：	6瓦分立功率氮化镓HEMT的SiC [6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 444 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

TGF2023-01

6瓦分立功率氮化镓HEMT的SiC

主要特点

•

频率范围： DC - 18 GHz的

> 38 dBm的额定PSAT

55 ％最大PAE

15分贝额定功率增益

偏见： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 125 mA时， V G = -3 V

典型

工艺： 0.25微米功率氮化镓对SiC

芯片尺寸： 0.82 X 0.66 X 0.10毫米

实测性能

偏置条件： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 125 mA时， V G = -3 V典型

•

主要应用

空间

军事

宽带无线

产品说明

TriQuint的TGF2023-01是离散1.25毫米

氮化镓HEMT的SiC其工作在DC- 18

千兆赫。该TGF2023-01使用设计

TriQuint的证明0.25微米的GaN生产过程。

这个过程具有先进的场板

技术来优化微波功率和

效率在高漏极偏压的工作条件。

该TGF2023-01通常提供> 38 dBm时

饱和输出功率为15 dB的功率增益。

附加效率的最大功率为55％的

这使得TGF2023-01适合于高

效率的应用。

无铅并符合RoHS标准

改变数据表，恕不另行通知。

TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com

2008年12月©修订版A

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