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    TGF2023-05 参数 Datasheet PDF下载

    TGF2023-05图片预览
    型号： TGF2023-05
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 25瓦分立功率氮化镓HEMT的SiC [25 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 219 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号TGF2023-05的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TGF2023-05的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TGF2023-05的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TGF2023-05的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TGF2023-05的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TGF2023-05的Datasheet PDF文件第7页  
    TGF2023-05
    25瓦分立功率氮化镓HEMT的SiC
    主要特点
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    频率范围： DC - 18 GHz的
    > 44 dBm的额定PSAT
    55 ％最大PAE
    15分贝额定功率增益
    偏见： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 500 mA时， V G = -3 V
    典型
    工艺： 0.25微米功率氮化镓对SiC
    芯片尺寸： 0.82 X 1.44 X 0.10毫米
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    主要应用
    空间
    军事
    宽带无线
    实测性能
    偏置条件： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 500 mA时， V G = -3 V典型
    产品说明
    TriQuint的TGF2023-05是离散5.0毫米
    氮化镓HEMT的SiC其工作在DC- 18
    千兆赫。该TGF2023-05使用设计
    TriQuint的证明0.25微米的GaN生产过程。
    这个过程具有先进的场板
    技术来优化微波功率和
    效率在高漏极偏压的工作条件。
    该TGF2023-05通常提供> 44 dBm时
    饱和输出功率为15 dB的功率增益。
    附加效率的最大功率为55％的
    这使得TGF2023-05适合于高
    效率的应用。
    无铅并符合RoHS标准
    .
    改变数据表，恕不另行通知。
    TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
    2008年12月©修订版A
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