TGF2960-SD
0.5瓦特的DC- 5GHz的包装HFET
主要特点
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频率范围： DC- 5GHz的
标称900MHz的应用板的性能：
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TOI ： 40 dBm的
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28 dBm的PSAT ， 27 dBm的P1dB为
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增益： 19分贝
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输入回波损耗： -10 dB的
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输出回波损耗： -5分贝
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偏见： VD = 8 V ， IDQ = 100 mA时， V G = -1.0 V
（典型值）
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封装尺寸： 4.5 ×4× 1.5毫米
900 MHz的应用板
性能
偏置条件： VD = 8 V ， IDQ = 100 mA时， V G = -1.0 V（典型）
主要应用
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蜂窝基站
WiMAX的
无线基础设施
IF & LO缓冲器的应用
RFID
产品说明
该TGF2960 - SD是一个高性能的1 /瓦
砷化镓异质结场效应晶体管
（ HFET ）装在一个低成本的SOT89表面
贴装封装。
该器件的理想的工作点是在漏极偏压
8 V和100 mA的电流。在这种偏差在900 MHz的时
相映成使用外部元件50欧姆，
这种装置能够为19分贝的增益，为28 dBm的
饱和输出功率和40 dBm的输出IP3的。
评估板在900兆赫， 1900兆赫和
2100兆赫可应要求提供。
RoHS和无铅标准。
改变数据表，恕不另行通知。
TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
2012年5月© B版
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TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
