TGF4260-SCC 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TGF4260-SCC
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内容描述：	9.6毫米离散HFET [9.6 mm Discrete HFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 427 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

产品数据表

2003年3月31日

表二

DC传感器特性

= 25

°C,

标称）

符号

DSS

BGS

BGD

参数

饱和漏极电流

跨

捏-O FF电压

击穿电压

栅极 - 源

击穿电压

栅极 - 漏极

最低

典型

2352

1584

1.85

TGF4260-SCC

最大

单位

记

1 /总计8颗场效应管

2/ V

, V

BGS

和V

BGD

是否定的。

表三

电气特性

= 25

°C,

标称）

偏置条件： VD = 8.5 V ，ID = 520毫安

符号

噘

PAE

参数

输出功率

功率增益

功率附加效率

典型

9.5

单位

DBM

表四

热信息*

参数

QJC

热

阻力

（频道背面

载波）

测试条件

VD = 8.5 V

= 520毫安

PDISS = 6.8 W¯¯

( C)

101.64

QJC

（ ° C / W）

7.16

（小时）

1.7 E+12

注：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万

粗磨载体在70℃下底板温度。最坏的情况没有RF

施加直流功率的100％的被耗散。

*热信息是一个详细的热模型的结果。

TriQuint半导体公司德州：（ 972 ） 994 8465

传真：（ 972 ） 994 8504网址： www.triquint.com

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