产品数据表
TGP6336-EEU
射频特性
参数
IL
驻波比（上）
P
1dB
（中）
插入损耗（全州）
输入站在瓦特大街比例
输入POW ER在1dB增益压缩
测试条件
F = 6 - 18 GHz的
F = 6 - 18 GHz的（全州）
F = 6 - 18 GHz的（全州）
典型值
9
2.0:1
2.6:1
单位
dB
-
-
SWR （ OUT）输出瓦特站在大街比例
看下表
相
移
（度）
-11.25
-22.5
-45
-90
-180
-348.75
典型的相对相移
在6GHz的
（度）
-13±2
-23±2
-55±4
-107±5
-214±4
-416±8
在12GHz的
（度）
-13.5±2
-23±2
-43±3
-84±7
-165±8
-326±9
在18GHz的
（度）
13±4
32±4
58±7
99±8
186±16
380±11
典型的输入功率为
1 - dB的增益压缩在
中频（ DBM）
26
27
26
25
25
25
V + = 6 V ，V = -5 V ，T
A
= 25
o
C
推荐的BIAS
网
所有偏压电阻具有25欧姆的标称值。
RF连接：邦德一个1密耳直径20至25密耳长的金线键合在两个RF输入和
射频输出，以获得最佳的RF性能。
外部元件的关闭位置是谐振免费的性能至关重要。
请参阅TriQuint的砷化镓产品设计师的资料对我们正在申请网站
信息。
TriQuint半导体公司德州电话： （ 972 ） 994 8465
传真： （ 972 ） 994 8504网址： www.triquint.com
5
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
