有限获释专有
结合0.7μm的E / D pHEMT制& 2μm的HBT代工服务
TQBiHEMT
特点
•
E-模式， 0.30 V， Vth的
•
D-模式， -0.8 V副总裁
•
砷化铟镓活动层的pHEMT
•
•
•
TQBiHEMT工艺横截面
•
•
•
•
•
概述
TriQuint的TQBiHEMT过程是基于我们的产品 -
发布0.7微米TQPED和TQHBT3.1过程。 TQPED
包括E-模式和D模式pHEMT晶体管。 TQHBT3.1是
2微米发射的InGaP HBT工艺设计的高rugged-
湖，高功率应用。 TQBiHEMT结合了proc-
S弯到一个晶片上，使设计人员能够高度融合
高效率，高功率的InGaP HBT功率放大器到一个单芯片
开关，低噪声放大器，混频器，并表现出较高的其他功能
性能与pHEMT制的实现。此过程的目标是
用于与线性，低损耗和高集成的功率放大器
隔离射频开关应用中，转换器和集成RF
前端。这三个金属互连层封装
迟来的高性能电介质，它允许使用灵活的布线
性，优化的芯片尺寸和塑料包装简洁。精确
镍铬电阻和高价值的MIM电容包括允许 -
荷兰国际集团更高的集成度，同时维持较小的，成本 -
有效芯片尺寸。
流程+的InGaP HBT
0.7微米的光Lithography-
门
2微米光Lithography-但排放
TER值;贝塔= 75
高密度互连：
•
2全球
•
1地方
高Q值无源器件
薄膜电阻
大容量的电容（1200
PF /微米
2
)
背面的通孔可选
基于生产TQPED
pHEMT制和TQHBT3.1 HBT
应用
•
高效整合
•
•
•
•
•
•
与线性功率放大器
低损耗，高隔离，低
谐波含量开关
集成的数字控制逻辑
对于交换机和收发器
转换器
集成RF前端Ends- LNA ，
SW ， PA
无线收发器，基地台站
系统蒸发散，直播卫星
雷达，数字无线电，射频/
混合信号IC
功率检测器和耦合器
第1页3 ;修订版0.3 ; 2008年6月5日
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
