TQHBT3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TQHBT3
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内容描述：	的InGaP HBT代工服务 [InGaP HBT Foundry Service]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 120 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

生产工艺

的InGaP HBT代工服务

特点

金属2 - 4UM

TQHBT3

•

MIM

金属0

隔离植入

电介质

金属1 - 在2um

电介质

辐射源

金属1 - 在2um

NICR

BASE

集热器

•

副署长

缓冲&底

•

TQHBT3工艺横截面

•

概述

TriQuint新型TQHBT3过程是一个高度可靠的InGaP

HBT工艺与三级互连金属和

先进设备，最先进的设备性能。厚金属在互连

nects和高品质的无源器件整合推广。厚

金属互连，从而促进提高热MAN-

理，以及高密度电容保持芯片尺寸小。

的MOCVD外延工艺被用于生长有源

层。碳掺杂基地的InGaP发射被利用

对于高的RF性能，高可靠性的一致。 DE-

利用3微米发射极宽度的标志具有的性能

以前-2-微米发射器，但与可靠性和耐用性

与更广泛的发射器相关联。精密镍铬电阻

高值的MIM电容器都包括在内。三个金属层

被封装在一个高性能的电介质，它允许

布线的灵活性和塑料包装简洁。

•

2-和3-微米发射器宽度

>22分贝MAG @ 6 GHz的;与3-嗯

发射器

放大器坚固：驻波比70 ： 1

@ 5 V电源

高线性度功率放大器应用

的InGaP发射器处理高重

责任和热稳定性

基地腐蚀停止均匀

MOCVD外延

高密度互连;

•

2全球，本地1

•

超过600微米的总厚度

•

介电金属封装

厚的金属互连：

•

增强型热管理

•

最小模具尺寸

有效的基极平衡的马克西 -

妈妈增益

150毫米晶片

高Q值无源器件

镍铬薄膜电阻器

大容量的电容&叠放

电容器

背面的通孔可选

验证模型和设计

支持

应用

•

功率放大器

驱动放大器

宽带，通用

放大器器

TriQuint半导体

2300 NE布鲁克伍德PKWY

俄勒冈州Hillsboro市97124

半导体的通信

www.triquint.com

第6 1 ; 1.1版2005年2月8日

电话： 503-615-9000

传真： 503-615-8905

电子邮件： info@triquint.com

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