TQM713019
数据表
3V HBT砷化镓CDMA的4x4mm功率放大器模块
特点
10
功能框图
VREF
1
GND
VMODE
2
1位偏置控制
9
GND
GND
3
8
RFOUT
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
RFIN
4
7
GND
Vcc1
5
6
Vcc2
产品说明
该TQM713019是3V ， 2级的GaAs HBT功率放大器模块设计
在手机使用。它非常小的4x4mm封装使得它非常适合
今天的紧凑型数据功能的手机。其射频性能满足
要求的产品设计的IS- 95/98标准。
该TQM713019设计上TriQuint公司先进的InGaP HBT砷化镓
技术提供了先进的可靠性，温度稳定性的状态，
耐用性。可选的偏置模式和关机模式与低漏
目前提高通话和待机时间。输出匹配，实现内
模块封装，优化效率/线性度在最大额定输出功率。
该模块是一个的4x4mm栅格阵列与背面接地。该TQM713019是
足迹与行业标准的4x4mm CDMA功率放大器模块兼容。
的InGaP HBT技术
高效率： 41 ％的CDMA
低漏电流： < 1uA的
低Icq的= 55毫安
支持新的芯片组和Vref @ 2.6V
能够在低偏置运行的0位PA的
模式为28dBm的
优化50Ω系统
小型10引脚的4x4mm模块
优秀Rx频带噪声性能
CDMA 1XRTT ， 1xEV-DO的标准
全ESD保护
应用
•
•
IS-95 / CDMA2000
单模，双模和三模
CDMA / AMPS手机
包装样式
采用4mm x 4mm LGA封装
电气规格
参数
频率
CDMA模式最大噘
1
收益
CDMA ACPR
CDMA ALTR
电源电流@ 28dBm的
I
REF
Rx频带噪声
民
824
28
29
50
65
450
2.0
-140
典型值
最大
849
单位
兆赫
DBM
dB
dBc的
dBc的
mA
mA
dBm / Hz计
注1 ： CDMA模式： V
CC1
= 3.4VDC ，V
CC2
= 3.4VDC ，V
REF
= 2.85VDC ， TC = 25℃
有关其他信息和最新的规格，请参阅我们的网站：
www.triquint.com
Rev. D的， 2005年3月
数据表：如有更改，恕不另行通知
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TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
