TQM7M5013
数据表
四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS高级输入功率来控制EDGE PAM
功能框图
RF_in_DCS
VBATT
HBEN
Vmode0
Vmode1
LBEN
GND
RF_in_GSM
RF_out_GSM
C
ONTROL
C
IRCUIT
VCC
RF_out_DCS
特点
支持四频GSM / EDGE
数字控制接口
低电流在回退功率水平
输入功率控制 - GMSK和8PSK
LB有4种模式 - HP ， MP ， LP和ULP
HB有3种模式 - HP ， LP和ULP
HBT / PHEMT高效技术
大功率线性
标准LB和HB路径
50Ω输入和输出阻抗
无卤
11引脚封装
产品说明
该TQM7M5013是输入功率来控制，多个增益状态，四频，
GSM / EDGE PAM的设计与高通QTR / RTR8600 WEDGE使用
的解决方案。这种高效PAM显著改善了通话时间，同时还
提供一种易于使用在小形状因数的解决方案。 PA的输出功率为
由输入功率从收发器中GMSK和8PSK来控制
模式，因此不需要Vramp而使输入。此外，小尺寸5mm x 5mm的
包装要求最小的电路板空间，并允许高层次的手机
集成。
应用
GSM / EDGE / WEDGE手机
GSM / EDGE / WEDGE无线网卡
电气规格
1
参数
包装样式
DCS
典型值
GSM850
典型值
GSM900
典型值
个
典型值
单位
GMSK HPM噘
GMSK MPM噘
8PSK （ RMS功率）
GMSK LPM噘
GMSK ULPM噘
GMSK HPM PAE
GMSK MPM PAE
GMSK LPM PAE
GMSK ULPM PAE
35.3
31.8
29
22
20.5
52
43
27
29
35
32.2
29
22
21
55
45
31
32
33.3
-
28
22.8
21.5
55
-
25
23
33
-
28
22
20
52
-
19
16
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
%
%
注1：在标准操作条件下测得的RF性能。
数据表
1
有关其他信息和最新的规格，请参阅我们的网站：
www.triquint.com
修订P， 2011年8月31日
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
