生产工艺
0.13微米pHEMT的ð代工服务
特点
0.13微米pHEMT制（ TQP13 -N ）过程的横截面
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低成本的光学光刻技术
0.13微米门
高堡， 〜 95 GHz的
TQP13-N
低噪声， < 0.5分贝在Ku波段
连接器： 2层（ 1气冷
桥&本地1 ）
高价值MIM电容器
电阻器
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薄膜电阻
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外延层电阻
0.13微米PHEMT器件的横截面
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背面的通孔
高容量150毫米晶片
相同的基线作为大众生产
今天重刑
概述
TriQuint的TQP13 -N处理是一种独特的，低成本的150毫米晶片
用于低噪声光学光刻0.13微米pHEMT工艺
通过V型带AP-和中等功率应用中的Ku波段
并发症。该工艺具有高度可重复的0.13微米
自对准栅pHEMT制场效应管加上高密度电容
器，外延电阻，薄膜电阻（ TFR ） ，和2层的金
互连。为95 GHz的典型尺，该方法用于
V波段车载雷达和高频点对点无线电
应用程序。与典型的NF < 0.5分贝在Ku波段，该方法是
在消费者使用成本低LNB放大器和转换模块
直播卫星天线系统。使用简单，可重复性
能够和高度竞争的TQP13 -N是理想的新兴CON-
苏美尔毫米波应用。
应用
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DBS LNB和向下转换
汽车雷达
卫星通信
低噪声点对点/点来
多点广播LNA
高频中功率
高频混频器
光纤TIA和驱动程序，
10Gb / s的 - 的40Gb / s
第1页4 ; 1.1版2008年1月14日
第1页4 ;修订版0.1 2004年2月9日
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
