生产工艺
TQPHT
0.5微米pHEMT的代工服务
特点
金属2
电介质
金属1
电介质
MIM金属
金属2 - 4UM
电介质
金属1 - 在2um
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金属1
NICR
隔离植入
隔离植入
氮化
N+
赝
通道
金属0
pHEMT制
MIM电容
半绝缘的GaAs衬底
镍铬电阻
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0.5微米PHEMT器件的横截面
D-模式， -0.8 V副总裁
砷化铟镓活动层的pHEMT
过程
0.5微米光刻
门
17 V·D -G击穿电压
高密度互连：
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2全球
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1地方
高Q值无源器件
薄膜电阻
大容量的电容
背面的通孔可选
基于生产0.25微米
pHEMT制和无源流程
TOM3 FET型可选
概述
TriQuint公司的0.5微米pHEMT工艺是基于我们的生产
发布0.25微米栅工艺。 TQPHT替代成本更低
代替电子束光刻技术，并增加了TriQuint的
独特的厚金属方案。这个过程是针对高
效率和线性功率放大器，低噪声放大器，
和直链的，低损耗和高隔离的RF开关的应用程序。
该TQPHT过程提供了一个D-模式pHEMT制与-0.8 V
夹断。这三个金属互连层封装
迟来的高性能电介质，它允许使用灵活的布线
性，优化的芯片尺寸和塑料包装简洁。精确
镍铬电阻和高价值的MIM电容包括AL-
降脂更高的集成度，同时维持较小的，
成本 - 有效芯片尺寸。
应用
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高效率和线性
功率放大器
低损耗，高隔离度
开关无线反式
的收发机和基站
更高的电源电压的应用
系统蒸发散
集成射频前端Ends-
LNA ， SW ，PA
充分释放
生产工艺
第5个1 ;修订版2.0 03年7月22日
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
