生产工艺
发布
先进
MESFET代工服务
砷化镓
无源器件代工服务
特点
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TQRLC
TQTRx
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厚厚的4层金属; > 9微米的总
厚度
高密度互连：
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3全球
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1地方
高Q值无源器件;电感的Q >50
@ 2 GHz的
低成本：无源器件只
薄膜电阻
介电金属封装
平坦化表面;
简单的塑料包装
量产过程
TQRLC工艺横截面
TQTRx
应用
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概述
TriQuint的TQRLC是一个纯粹的无源器件的过程。它是针对
高性能，小尺寸的无源仅电路，并利用
超过900微米的金金属。高密度互连是AC-
complished有三个厚厚的全球和一个表面的金属间
连接层。四个金属层被封装在高
性能，低介电常数材料，使布线
灵活性和塑料包装的简单性。精密镍铬电阻
器，电感器和高价值的MIM电容器都可用。
该过程是基于TQTRx过程中，目前
TriQuint的最高音量的过程。该TQRLC过程
可在150毫米（6英寸）的晶片。
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被动元件：
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移相器
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非平衡变压器
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变形金刚
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耦合器
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调音台
（与片外二
颂歌数组）
电路需要高Q值
无源元件
匹配电路
射频模块前端滤波器
一般的射频和微波阻抗
ANCE匹配
TriQuint半导体
TriQuint半导体
2300 NE布鲁克伍德PKWY
2300 NE布鲁克伍德PKWY
俄勒冈州Hillsboro市97124
俄勒冈州Hillsboro市97124
半导体的通信
www.triquint.com
第7 1 ; 1.0版○一年十一月一十五日
第1页3 ;修订版2.3 04年3月18日
电话： 503-615-9000
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传真： 503-615-8905
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电子邮件： info@triquint.com
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