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1N755 参数 Datasheet PDF下载

1N755图片预览
型号: 1N755
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内容描述: 硅稳压二极管 [SILICON ZENER DIODES]
分类和应用: 稳压二极管测试
文件页数/大小: 2 页 / 76 K
品牌: TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
 浏览型号1N755的Datasheet PDF文件第2页  
TRANSYS
电子
L I M I T E ð
硅稳压二极管
1N746为1N759
DO- 35 400毫瓦
密封的玻璃封装稳压二极管
绝对最大额定值
描述
符号
价值
单位
ZV
3.3 〜12
V
齐纳电压
PD
400
mW
D C功率耗散
3.2
毫瓦/摄氏度
降额超过50摄氏度
TJ , TSTG
-65到+175
摄氏度
操作&存储结
温度范围
电气特性(Ta = 25℃ ,除非另有规定, VF <1.5V @ 200毫安
设备标称*
齐纳
最大
最大
@
VR最大
典型值
TYPE #
齐纳
TEST
齐纳
反向电流
齐纳
温度
(1)
电压
阻抗
@ 25℃
@ 150摄氏度
当前
齐纳二极管的COEFF
VZ @ IZT
IZT
ZZT @ IZT
最大
最大
IZM
电压* VZ
(V)
(MA )
(欧姆)
( UA)
( UA)
(V)
(MA )
( % ℃)
1N746
3.3
20
28
10
30
1.0
110
-0.066
1N747
3.6
20
24
10
30
1.0
100
-0.058
1N748
3.9
20
23
10
30
1.0
95
-0.046
1N749
4.3
20
22
2.0
30
1.0
85
-0.033
1N750
4.7
20
19
2.0
30
1.0
75
-0.015
1N751
5.1
20
17
1.0
20
1.0
70
+-0.010
1N752
5.6
20
11
1.0
20
1.0
65
+0.030
1N753
6.2
20
7
0.1
20
1.0
60
+0.049
1N754
6.8
20
5
0.1
20
1.0
55
+0.053
1N755
7.5
20
6
0.1
20
1.0
50
+0.057
1N756
8.2
20
8
0.1
20
1.0
45
+0.060
1N757
9.1
20
10
0.1
20
1.0
40
+0.061
1N758
10
20
17
0.1
20
1.0
35
+0.062
1N759
12
20
30
0.1
20
1.0
30
+0.062
注( 1 ) : - 无后缀+ -10 %
后缀A + - 5 %
*脉冲条件: 20ms的<tp 50毫秒,占空比Cycle<2 %