2N5679 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N5679
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内容描述：	PNP / NPN高压硅晶体管 [PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管高压
文件页数/大小：	2 页 / 64 K
品牌：	TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]

TRANSYS

电子

L I M I T E ð

PNP / NPN高压硅晶体管

2N5679

2N5680

PNP

TO-39

2N5681

2N5682

NPN

TO-39

这些都是高电压&高电流，通用晶体管

绝对最大额定值。

描述

符号

2N5679

2N5681

100

2N5680

2N5682

120

单位

毫瓦/摄氏度

摄氏度

VCEO

集电极发射极电压

VCBO

集电极基极电压

VEBO

4.0

发射极基极电压连续

1.0

连续集电极电流

0.5

基极电流

1.0

功率耗散@ TA = 25摄氏度

5.7

减免上述25deg ç

功耗@ TC = 25摄氏度

减免上述25deg ç

TJ ， TSTG

-65到+200

工作和存储结

温度范围

热阻

RTH （J -C ）

17.5

结到外壳

Rth的第（j-一）

175

结到环境

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

描述

符号测试条件

2N5679

2N5681

VCEO （ SUS） IC = 10毫安， IB = 0

>100

集电极发射极电压

ICBO

VCB = 100V ， IE = 0

<1.0

集电极切断电流

VCB = 120V ， IE = 0

ICEO

VCE = 70V ， IB = 0

<10

VCE = 80V ， IB = 0

ICEX

VCE=100V,VEB=1.5V

<1.0

VCE=120V,VEB=1.5V

TC = 150℃

VCE=100V,VEB=1.5V

VCE=120V,VEB=1.5V

VEB = 4V ， IC = 0

摄氏度/ W

2N5680

2N5682

>120

<1.0

<10

<1.0

单位

射极切断电流

IEBO

<1.0

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