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型号: 2N6520
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内容描述: 塑料封装晶体管 [Plastic-Encapsulated Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 118 K
品牌: TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
   
TRANSYS
电子
L I M I T E ð
TO- 92塑料封装晶体管
2N6520
特点
功耗
晶体管( PNP )
TO-92
1.发射器
P
CM
: 0.625
W(环境温度Tamb = 25℃)
2.基
集电极电流
I
CM
: -0.5
A
集电极 - 基极电压
V
V
( BR ) CBO
: -350
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
3.收集
1 2 3
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
*
除非另有规定编)
TEST
条件
-350
-350
-5
-0.05
-0.05
20
30
30
20
15
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
IC = -100
µA
, I
E
=0
I
C
= -1毫安,我
B
=0
I
E
= -10
µA,
I
C
=0
V
CB
= -250 V,I
E
=0
V
EB
= -4 V,I
C
=0
V
CE
= -10 V,I
C
= -1毫安
V
CE
= -10 V,I
C
= -10毫安
V
CE
= -10 V,I
C
= -30毫安
V
CE
= -10 V,I
C
= -50毫安
V
CE
= -10 V,I
C
= -100毫安
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
I
C
= -20毫安,我
B
= -2毫安
I
C
= -30毫安,我
B
= -3毫安
I
C
= -50毫安,我
B
= -5毫安
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
I
C
= -20毫安,我
B
= -2毫安
I
C
= -30毫安,我
B
= -3毫安
V
CE
= -10V ,我
C
= -100毫安
V
CE
= -20 V,I
C
= -10毫安
F = 20MHz的
V( BR )
EBO
I
CBO
I
EBO
直流电流增益
h
FE
200
200
-0.3
-0.35
-0.5
-1
-0.75
-0.85
-0.9
-2
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
V
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
V
V
兆赫
f
T
*
40
200
*脉冲测试,脉冲width≤300μs ,职务cycle≤2 % 。