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型号: 2SB1119
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内容描述: 塑料封装晶体管 [Plastic-Encapsulated Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 64 K
品牌: TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
   
TRANSYS
电子
L I M I T E ð
SOT- 89塑料封装晶体管
2SB1119
特点
功耗
2.
集热器
P
CM
:
500毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
3.
辐射源
1
2
3
晶体管( PNP )
SOT-89
1.
BASE
集电极电流
-1
A
I
CM
:
集电极电流(脉冲)
ICP :
-2
A
集电极 - 基极电压
-25
V
V
( BR ) CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
,T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
CE
=
-2
V,I
C
=
-1
A
I
C
=
-500
妈,我
B
=
-50
mA
I
C
=
-500
妈,我
B
=
-50
mA
V
CE
=
-10
V,I
C
=
-50
mA
V
CB
=
-10
V,F =
1
兆赫
TEST
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
IC = -
10
µA,
I
E
=0
IC 。
-1
妈,我
B
=0
I
E
=
-10
µA,
I
C
=0
V
CB
=
-20
V,I
E
=0
V
EB
=
-4
V,I
C
=0
V
CE
=
-2
V,I
C
=
-50
mA
-25
-25
-5
-0.1
-0.1
100
40
-0.7
-1.2
180
25
560
µA
µA
V
v
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
范围
记号
R
100-200
S
140-280
BB
T
200-400
U
280-560