2SB647 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB647
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内容描述：	PNP硅外延 [SILICON PNP EPITAXIAL]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 169 K
品牌：	TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]

UTC 2SB647

PNP硅外延

应用

·低频功率放大器

PNP外延硅晶体管

TO-92NL

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

集成电路（峰值）

英镑

价值

-120

-80

-5

-1

-2

0.9

150

-55 ~ +150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

直流电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

增益带宽积

集电极输出电容

注：脉冲测试

符号

（ BR ）

CBO

（ BR ）

首席执行官

（ BR ）

EBO

CBO

FE1

FE2

（SAT）

COB

测试条件

IC = -10μA ，我

IC = -1mA ，R

=∞

= -10μA ，我

= -100V ，我

= -5V ， IC = -150mA （注）

= -5V ， IC = -500mA （注）

IC = -500mA ，我

= -50毫安（注）

= -5V ， IC = -150mA （注）

= -5V ， IC = -150mA

= -10V ，我

=0,f=1MHz

民

-120

-80

-5

典型值

最大单位

-10

320

-1

-1.5

µA

140

兆赫

世界标准时间

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QW-R211-010,A

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