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2SD2118 参数 Datasheet PDF下载

2SD2118图片预览
型号: 2SD2118
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内容描述: 塑料封装晶体管 [Plastic-Encapsulated Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 107 K
品牌: TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
 浏览型号2SD2118的Datasheet PDF文件第2页  
TRANSYS
电子
L I M I T E ð
TO- 252-2Plastic封装晶体管
2SD2118
特点
功耗
P
CM
:
1
W(环境温度Tamb = 25℃)
3.辐射源
TO-252-2
晶体管( NPN )
0
9. 70¡ À. 20
0
0. 75¡ À. 10
6. 50¡ À. 15
0
5. 30¡ À. 10
0
0. 51¡ À. 05
0
2. 30¡ À. 10
0
5¡ ã
1. 20
0. 51¡ À. 10
0
0¡ 0 . 10
«
5¡ ã
5¡ ã
1.基地
2. 30¡ À. 10
0
0. 60¡ À. 10
0
0
1. 60¡ À. 15
2. 30¡ À. 10
0
0. 51
2.收集
123
集电极电流
5
A
I
厘米:
集电极 - 基极电压
50
V
V
( BR ) CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE ( SAT )
除非另有规定编)
TEST
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
50
μA ,我
E
=0
IC 。
1
妈,我
B
=0
I
E
=
50
μA ,我
C
=0
V
CB
=
40
V,I
E
=0
V
EB
=
5
V,I
C
=0
V
CE
=
2
V,I
C
=
500
mA
I
C
=
4
A,I
B
=
100
mA
V
CE
=
6
V,I
C
=
50
毫安, F =
100
兆赫
V
CB
=
20
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
50
20
6
0.5
0.5
120
390
1
150
30
0
2. 70¡ À. 20
0¡ ¡ ã« ¡ ã
9
0. 6
0. 80¡ À. 10
0
0
5. 50¡ À. 10
µA
µA
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
范围
记号
Q
120-270
R
180-390