BAS35 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BAS35
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内容描述：	硅平面外延高速二极管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-SPEED DIODE]
分类和应用：	二极管光电二极管IOT局域网
文件页数/大小：	2 页 / 53 K
品牌：	TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]

BAS29 ， BAS31 ， BAS35

平均正向电流整流

（平均超过任何20 ms周期）

非重复峰值正向电流

T = 1微秒;牛逼

= 25 ° C至前激增;每个晶

T = 1秒;牛逼

= 25 ° C至前激增;每个晶

正向电流（ D）

反向重复峰值能量

≥

50微秒; ˚F

≤

20赫兹;牛逼

= 25 °C

储存温度

结温

热阻

从结点到环境*

特征

（每二极管）

AMB

= 25 ° C除非另有规定编

正向电压

= 10毫安

= 50毫安

= 100毫安

= 200毫安

= 400毫安

反向电流

= 90 V

= 90 V ;牛逼

AMB

= 150 °C

反向雪崩击穿电压

= 1毫安

二极管电容

= 0; F = 1 MHz的

从切换时的反向恢复时间

= 30 mA至我

= 30毫安; ř

= 100

Ω

;

测量我

= 3毫安

F（ AV ）

FSM

RRM

TSTG

马克斯。

250毫安

3 A

0.75 A

250毫安

马克斯。

5.0兆焦耳

-55〜 + 150℃

马克斯。

150 °C

日J-一

430 K / W

（ BR ）R

＆ LT ;

0.75

0.84

0.90

1.00

1.25

100 nA的

100 µA

120至175 V

＆ LT ;

35 pF的

＆ LT ;

75纳秒

*当安装在8毫米× 10毫米× 0.7mm的陶瓷基板。

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