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BD175 参数 Datasheet PDF下载

BD175图片预览
型号: BD175
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内容描述: 外延硅功率晶体管 [EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 68 K
品牌: TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
 浏览型号BD175的Datasheet PDF文件第2页  
TRANSYS
电子
L I M I T E ð
外延硅功率晶体管
BD175
BD177
BD179
NPN
BD176
BD178
BD180
PNP
EC
TO126
塑料包装
B
拟用于中等功率线性开关应用的使用
绝对最大额定值
描述
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功率耗散@ T
a
=25ºC
减免上述25℃
功率耗散@ T
c
=25ºC
工作和存储结
温度范围
热特性
结到环境中的自由空气
结到外壳
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
BD175
BD176
45
45
BD177
BD178
60
60
5.0
3.0
7.0
1.25
10
30
- 65 〜+ 150
BD179
BD180
80
80
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/℃
W
ºC
R
号(j -a)的
R
日(J -C )
100
4.16
BD175/76
BD177/78
BD179/80
BD175/76
BD177/78
BD179/80
45
60
80
0.8
1.3
40
15
-6
- 10
- 16
40
63
100
3.0
100
160
250
最大
100
100
100
1.0
摄氏度/ W
摄氏度/ W
单位
µA
µA
µA
mA
V
V
V
V
V
电气特性(T
c
= 25ºC除非另有规定)
描述
符号
测试条件
I
CBO
V
CB
=45V
,
I
E
=0
收藏家切断电流
V
CB
=60V
,
I
E
=0
V
CB
=80V
,
I
E
=0
I
EBO
V
EB
= 5V ,我
C
=0
发射器切断电流
*V
CEO ( SUS)
I
C
= 100mA时我
B
=0
集电极发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极电压
直流电流增益
*V
CE (SAT)
*V
BE(上)
*h
FE
*h
FE
I
C
= 1A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1A ,V
CE
=2V
I
C
= 150毫安,V
CE
=2V
I
C
= 1A ,V
CE
=2V
I
C
= 150毫安,V
CE
=2V
只有BD175 / 79分之76
跃迁频率
f
T
I
C
= 250毫安,V
CE
=10V
ΜΗz
*脉冲测试: - 脉冲宽度= 300μS ,占空比= 1.5 %
µ