TRANSYS
电子
L I M I T E ð
NPN硅平面晶体管
BF370R
TO-92
BEC
低电平放大器晶体管。
绝对最大额定值
描述
价值
VCBO
40
集电极基极电压
VCEO
15
集电极发射极电压
VEBO
4.5
发射极电压
IC
100
集电极电流（连续）
PD
500
功率耗散@ TA = 25℃
4.0
减免上述25℃
TJ ， TSTG
-55到+150
工作和存储结
温度范围
260
无铅焊接温度的16"分之1
TL
从身体，持续10秒。
热阻
RTH （J -C ）
83.3
结到外壳
Rth的第（j-一）
200
结到环境
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
VCBO
IC = 100uA的， IE = 0
集电极基极电压
VCEO
IC = 100uA的， IB = 0
集电极发射极电压
VEBO
IE =为100uA ， IC = 0
发射极电压
ICBO
VCB = 20V ， IE = 0
收藏家切断电流
TA = 125摄氏度
VCB = 15V ， IE = 0
IEBO
VEB = 2V ， IC = 0
发射器切断电流
的hFE
IC=10mA,VCE=1V
直流电流增益
动态特性
ft
IC=10mA,VCE=10V
晶体管频率
IC=40mA,VCE=10V
Cc
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1MHz的
集电极电容
Ce
VEB = 1V ， IC = IC = 0 ， F = 1MHz的
发射极电容
CRE
IC = 0 ， VCE = 10V ， F = 1MHz的
反馈电容
GV
V（ INT ） RMS
干扰电压为K = 1 ％
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
摄氏度/ W
民
40
15
4.5
-
-
-
40
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
400
30
100
-
-
-
4.5
单位
V
V
V
nA
uA
nA
500
-
490
典型值2.2
-
-
典型值1.6
典型值120
兆赫
兆赫
pF
pF
pF
mV
TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
